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高dVCOM/dt承受能力受2個(gè)因素影響：

dICOM/dt—轉(zhuǎn)換時(shí)負(fù)載電流量下降率。dICOM/dt高，則dVCOM/dt承受能力降低。

結(jié)面溫度Tj越高，dVCOM/dt承受能力越降低。倘若雙向可控硅的dVCOM/dt的規(guī)定值有可能被超出，為防止出現(xiàn)假觸發(fā)，可在T1和T2間安裝RC緩沖線路，借此限定電壓上升率。通常使用47~100Ω的能承擔(dān)浪涌電流的碳膜電阻，0.01μF~0.47μF的電容，可控硅關(guān)斷環(huán)節(jié)中主電流量過零反向后快速由反向峰值恢復(fù)至零電流量，此環(huán)節(jié)可在元件兩邊形成達(dá)正常工作峰值電壓5-6倍的尖峰電壓。通常推薦在盡可能接近元件本身的地方連上阻容吸收電路。

斷開模式下電壓變化率dvD/dt。若截止的雙向可控硅上（或門極靈敏的閘流管）功能很高的電壓變化率，即便不超過VDRM，電容性內(nèi)部電流量能形成足夠大的門極電流量，并觸發(fā)器件導(dǎo)通。門極靈敏度隨溫度而上升。倘若出現(xiàn)這種的問題，T1和T2間（或陽極和陰極間）需要加RC緩沖線路，以限定dvD/dt。

電流量上升率的抑制：電流量上升率的影響具體表現(xiàn)在以下2個(gè)層面：

①dIT/dt（導(dǎo)通時(shí)的電流量上升率）—當(dāng)雙向可控硅或閘流管在門極電流量觸發(fā)下導(dǎo)通，門極臨近處即刻導(dǎo)通，之后快速擴(kuò)展至整個(gè)有效面積。這遲后的時(shí)間有個(gè)極限值，即負(fù)載電流量上升率的許可值。過高的dIT/dt將會(huì)造成 局部燒毀，并使T1-T2短路故障。倘若環(huán)節(jié)中限定dIT/dt到一較低的值，雙向可控硅可能能夠幸存。所以，倘若雙向可控硅的VDRM在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出或?qū)〞r(shí)的dIT/dt有可能被超出，可在負(fù)載上串連1個(gè)幾μH的不飽和（空心）電感。

②dICOM/dt(轉(zhuǎn)換電流量變化率)—造成 高dICOM/dt值的因素是:高負(fù)載電流量、高電網(wǎng)頻率（假設(shè)正弦波電流量）或非正弦波負(fù)載電流量,兩者造成的轉(zhuǎn)換電流量變化率超出最大的規(guī)定值，使雙向可控硅甚至無法支撐50Hz波形由零上升時(shí)不大的dV/dt，添加一幾mH的電感和負(fù)載串連，能夠限定dICOM/dt。

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