雙向可控硅模塊應(yīng)用領(lǐng)域

2021-03-29

為正常情況下用雙向可控硅模塊,需定量了解其基本參數(shù),對(duì)雙向可控硅模塊進(jìn)行恰當(dāng)選取并采取有效措施以實(shí)現(xiàn)各參數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)。

耐壓級(jí)別的使用:一般是把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和VRRM(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該元器件的額定電壓。使用時(shí),額定電壓應(yīng)是正常情況下工作峰值電壓的2~3倍,用作允許的操作過(guò)壓裕量。

電流的判定:因?yàn)殡p向可控硅模塊一般是用在交流電路中,所以無(wú)需平均值而用有效值來(lái)表示它的額定電流值。因?yàn)榭煽毓枘K的負(fù)載能力比通常電磁元器件小,因此通常家電中選取可控硅模塊的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍。另外,可控硅模塊承載斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM時(shí)的峰值電流應(yīng)小于元器件規(guī)定的IDRM和IRRM。

通態(tài)(峰值)電壓VTM的使用:它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為降低可控硅模塊的熱損耗,應(yīng)盡量使用VTM小的可控硅模塊。

維持電流:IH是維持可控硅模塊維持通態(tài)所必要的最小主電流,它與結(jié)溫有關(guān),結(jié)溫越高,則IH越小。

電壓上升率的抵制:dv/dt指的是在關(guān)閉模式下電壓的上升斜率,它是預(yù)防誤觸發(fā)的1個(gè)主要參數(shù)。此值超限將可能造成 可控硅模塊出現(xiàn)誤導(dǎo)通的狀況。因?yàn)榭煽毓枘K的生產(chǎn)工藝確定了A2與G中間會(huì)存有寄生電容,如圖1所示。我們知道dv/dt的變化在電容的兩邊會(huì)出現(xiàn)等效電流,這一電流便會(huì)成為Ig,也就是出現(xiàn)了觸發(fā)電流,造成 誤觸發(fā)。
圖1雙向可控硅模塊等效示意圖

轉(zhuǎn)換電壓上升率dVCOM/dt。驅(qū)動(dòng)高電抗性的負(fù)載時(shí),負(fù)載電壓和電流的波形間一般是出現(xiàn)實(shí)質(zhì)性的相位移動(dòng)。當(dāng)負(fù)載電流過(guò)零時(shí)雙向可控硅模塊出現(xiàn)轉(zhuǎn)換,因?yàn)橄辔徊铍妷翰⒉皇橇恪4藭r(shí)雙向可控硅模塊須馬上阻斷該電壓。產(chǎn)生的轉(zhuǎn)換電壓上升率(dVCOM/dt)若超出允許值,會(huì)迫使雙向可控硅模塊恢復(fù)導(dǎo)通模式,因?yàn)檩d流子沒(méi)有充足的時(shí)間自結(jié)上撤出,如圖2所示。

圖2轉(zhuǎn)換時(shí)的電流及電壓變化

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以上就是傳承電子設(shè)計(jì)師"雙向可控硅模塊應(yīng)用領(lǐng)域"介紹,傳承電子是一家以電力電子為專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商,為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工,同時(shí)還給眾多公司提供來(lái)料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。

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