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可控硅的伏安特性曲線指的是可控硅陽極電流量IA、陽極與陰極間電壓UAK及控制極電流量Ic間的相互關(guān)系。
1）正方向特性

當(dāng)可控硅（可控硅）的陽極和陰極間添加正方向電壓，而控制極不添加電壓時(shí)，可控硅的Jl、J3結(jié)處在正方向偏置，J2結(jié)處在反方向偏置，可控硅只有通過較小的正方向漏電流，即特性曲線的OA段，稱作正方向阻斷情況。當(dāng)陽極電壓持續(xù)提升到圖中的UBO值時(shí)，J2結(jié)被反方向擊穿，陽極電流量驟然升高，特性曲線忽然由A點(diǎn)跳至B點(diǎn)，可控硅進(jìn)到導(dǎo)通情況，這是1種不正常情況。常規(guī)運(yùn)行時(shí)，不允許正方向電壓到達(dá)轉(zhuǎn)折電壓，避免可控硅喪失可控功能。

可控硅導(dǎo)通之后電流量極大而管壓降只有1V左右，這時(shí)的伏安特性與二極管的正方向特性類似，如下圖中的BC段，稱作正向?qū)ㄌ匦?。?dǎo)通后，要是減少陽極電流量，則當(dāng)厶低于IH時(shí)，可控硅忽然由導(dǎo)通情況轉(zhuǎn)變?yōu)樽钄啵匦郧€由B點(diǎn)跳回到A點(diǎn)。IH稱作維持電流量。

當(dāng)控制極添加電流量Ic時(shí)，使可控硅由阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通所需的陽極電壓值將低于UBO，而Ic且愈大，所需要的陽極電壓越小。

2）反方向特性

當(dāng)可控硅的陽板電壓為負(fù)時(shí)的伏安特性稱作反方向特性?？煽毓杓臃捶较螂妷簳r(shí)，Jl、J3結(jié)處在反方向偏置，J2結(jié)處在正方向偏置；可控硅只流過ISL9N315AD3S較小的反方向漏電流。這段特性與二極管的反方向特性類似，可控硅處在反方向阻斷情況。當(dāng)反方向電壓超出圖中的UBR值，管子被擊穿，反方向電流量驟然提升，使可控硅反向?qū)?，稱作不可逆擊穿。UBR稱作反方向擊穿電壓。

可控硅常規(guī)運(yùn)行時(shí)，另加電壓不允許超出反方向擊穿電壓，不然管子將被毀壞。與此同時(shí)，另加電壓也不允許超出正方向轉(zhuǎn)折電壓，否則無論控制極是不是加控制電流量，可控硅均將導(dǎo)通。在可控整流線路中，應(yīng)當(dāng)由控制極電壓來決定可控硅什么時(shí)候?qū)ǎQ作1個(gè)可控開關(guān)。

以上就是傳承電子對(duì)可控硅的伏安特性的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。