晶閘管（可控硅）的過壓保護(hù)

2021-02-21

一、晶閘管的過壓保護(hù)

晶閘管模塊在運(yùn)作過程中，會(huì)遭到由交流供電電網(wǎng)進(jìn)到的操作過電壓和雷擊過電壓的侵?jǐn)_。另外，模塊自身運(yùn)作中和非正常運(yùn)作中也有過電壓出現(xiàn)。

1.過電壓保護(hù)的第一個(gè)辦法是并接R-C阻容吸收電路，和用壓敏電阻或硒堆等非線性元器件完成控制。見圖3和圖4。
圖1：阻容三角控制過壓    圖2：壓敏電阻或硒堆控制過壓

2.過電壓保護(hù)的第二個(gè)辦法是選用電子電路完成保護(hù)。常用的電子保護(hù)原理圖如下：
圖2過壓保護(hù)原理圖

二、整流晶閘管阻容吸收元件的選擇

電容的選擇:

C=(2.5-5)×10的負(fù)8次方×If

If=0.367Id

Id-直流電流值

如果整流側(cè)采用500A的晶閘管

可以計(jì)算C=(2.5-5)×10的負(fù)8次方×500=1.25-2.5μF

選用2.5μF，1kv 的電容器

電阻的選擇：

R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56

選擇10歐

PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的負(fù)12次方×R)/2

以上就是傳承電子設(shè)計(jì)師晶閘管的過壓保護(hù)介紹， 傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。具體產(chǎn)品有：IGBT模塊、晶閘管(可控硅)模塊、超快恢復(fù)外延二極模塊、 單相整流橋模塊、 三相整流橋模塊、整流二極管模塊、肖特基二極管模塊等功率半導(dǎo)體器件。

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