可控硅的內(nèi)部運行過程

2021-07-16

從可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析運行過程：

可控硅是四層三端元器件，它有J1、J2、J33個PN結(jié),夠把它中間的NP分為兩部分，組成1個PNP型三極管和1個NPN型三極管的復(fù)合管。

當(dāng)可控硅承受正方向陽極電壓時，為使可控硅導(dǎo)通，務(wù)必使承受反方向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋功能。每一個晶體管的集電極電流并且也是另1個晶體管的基極電流。所以，2個相互復(fù)合的晶體管線路，當(dāng)有一定的門機電流Ig流入時，便會產(chǎn)生很強的正反饋，導(dǎo)致兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。

設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流對應(yīng)為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流對應(yīng)為Ia和Ik；電流放大系數(shù)對應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設(shè)流經(jīng)J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,

可控硅的陽極電流等同于兩管的集電極電流和漏電流的總和：

Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0

若門極電流為Ig,則可控硅陰極電流為Ik=Ia+Ig

進而能夠得到可控硅陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式

硅PNP管和硅NPN管對應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的轉(zhuǎn)變而大幅度變動。

當(dāng)可控硅承受正方向陽極電壓，而門極未受電壓的狀況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)非常小，故可控硅的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處在正方向阻斷情況。

當(dāng)可控硅在正方向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,因為一定大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，進而提升起點流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生一定大的極電極電流Ic2流經(jīng)PNP管的發(fā)射結(jié)，并提升了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣很強的正反饋過程快速進行。

當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,所以提升了可控硅的陽極電流Ia.這時，流經(jīng)可控硅的電流完全由主回路的電壓和回路電阻確定。可控硅已處在正向?qū)ㄇ闆r。

以上就是傳承電子對可控硅的內(nèi)部運行過程的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準和非標(biāo)準的功率半導(dǎo)體模塊等。

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