igbt開關時間定義

2021-07-06

1、導通時長ton

導通時長能夠分成2個部分：導通延遲時間td（on）與上升時間tr，在此時長內(nèi)igbt模塊主要運行在主動區(qū)域。

當柵極和發(fā)射極之向被添加1個階躍式的正方向驅(qū)動電壓后，便對CGE開始充電，VGE開始提升，提升過程的時間常數(shù)由CGE和柵極驅(qū)動網(wǎng)路的電阻所決定，一經(jīng)VGE到達開啟電壓VGE（th）后，集電極電流IC則開始提升。

從VGE提升至VGE（th）開始，到IC提升至負載電流IL的10%截止，這段時間被定義為導通延遲時間td（on）。

之后，集電極電流IC持續(xù)上漲，到IC提升至負載電流IL的90%的時候，這段時間稱作上升時間tr。

導通延遲時間td（on）與上升時間tr之和被為導通時長ton。在整個導通時長內(nèi)，能夠看得出電流逐步提升而集電極—發(fā)射極間的壓降依然非?？捎^，所以主要的導通耗損發(fā)生于這一時間內(nèi)。

2、igbt模塊導通

igbt模塊導通時，主要作業(yè)在飽和區(qū)域。

igbt模塊開通后，集電極電流Ic依然會持續(xù)上彝，并形成1個開通電流峰值，這種峰值是由阻感性負載及續(xù)流二極管共同形成的，峰值電流過大將會耗損igbt模塊。IC在到達峰值后會逐漸下跌至負載電流IC的水平，此外，VCE也下跌至飽和壓降水平，igbt模塊進入較為穩(wěn)定的導通階段。

在這個階段中的主要參數(shù)是由負載決定的通態(tài)電流IL和1個較低的飽和壓降VCEsat，能夠得出，作業(yè)在飽和區(qū)的igbt模塊的耗損并不是特別大。

以上就是傳承電子對igbt開關時間定義的介紹。傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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