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igbt功率模塊的開關(guān)過(guò)程主要是由柵極電壓VGE操縱的，因?yàn)闁艠O和發(fā)射極間存有著寄生電容艮，所以igbt模塊的導(dǎo)通與斷開就等同于對(duì)CGE完成充電與放電。假定igbt模塊初始狀態(tài)為斷開模式，即VGE為負(fù)壓VGC-，后級(jí)輸出為阻感性負(fù)載，含帶續(xù)流二極管。

因?yàn)榧纳鷧?shù)和負(fù)載特點(diǎn)的干擾，igbt模塊的真實(shí)導(dǎo)通與斷開過(guò)程相對(duì)復(fù)雜，如圖1為igbt模塊的導(dǎo)通斷開過(guò)程示意圖，圖內(nèi)柵極驅(qū)動(dòng)波型比較理想化，集電極電流和集電極-發(fā)射極電壓的波型大致上是實(shí)際波型，僅有小細(xì)節(jié)被理想化。

表1中列舉了igbt模塊開關(guān)時(shí)間的定義，之后是對(duì)igbt模塊開關(guān)每個(gè)階段的具體講述。

導(dǎo)通時(shí)長(zhǎng)tonICBT導(dǎo)通時(shí)，VGE提升到0V后，VCE下跌到最大值10%時(shí)截止的時(shí)長(zhǎng)。

導(dǎo)通延時(shí)時(shí)長(zhǎng)td（on）igbt模塊導(dǎo)通時(shí)，從集電極電流提升到最大值的10%時(shí)開始，到VCE下跌到最大值的10%截止的時(shí)長(zhǎng)。

上升時(shí)間trigbt模塊導(dǎo)通時(shí)，從集電極電流提升到最大值的10%時(shí)開始，抵達(dá)90%截止的時(shí)長(zhǎng)。

斷開時(shí)長(zhǎng)toffigbt模塊斷開時(shí)，從VCE下跌到最大值的90%開始，到集電極電流在下跌電流的切線上下跌到10%截止的時(shí)長(zhǎng)。

下降時(shí)間tfigbt模塊斷開時(shí)，集電極電流從最大值的90%開始，在下跌電流的切線上下跌到10%截止的時(shí)長(zhǎng)。

拖尾時(shí)長(zhǎng)tt到內(nèi)嵌二極管中的反向恢復(fù)電流消失截止所需要的時(shí)長(zhǎng)。

拖尾電流It到內(nèi)嵌二極管中正方向電流斷開時(shí)反方向流動(dòng)的電流的峰值。

以上就是傳承電子介紹什么是全面解析igbt功率模塊開關(guān)過(guò)程的介紹。傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來(lái)料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。