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大功率可控硅（SCR）以前相當(dāng)一段時(shí)間內(nèi)，幾乎是可以經(jīng)受高電壓和大電流的惟一半導(dǎo)體元器件。因此，對(duì)于SCR的弊端，人們很自然地把努力方向引到了如何使可控硅具備斷開(kāi)能力這一點(diǎn)上，并因此而開(kāi)發(fā)出了柵極可斷開(kāi)可控硅GTO。
用GTO可控硅做為逆變器件獲得了比較滿(mǎn)意的結(jié)果，但其斷開(kāi)控制容易失敗，仍較復(fù)雜，工作頻率也不是很高。而幾乎是與此同時(shí)，電力晶體管（GTR）快速發(fā)展起來(lái)，使GTO可控硅相形見(jiàn)綽。因此，在大量的中小容積變頻器中，GTO可控硅已基本不用。但因其工作電流大，故在大容量變頻器中仍居主要地位。

按照電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀趨勢(shì)，估計(jì)在之后幾年，電力電子器件將在下列層面獲得突破：

已進(jìn)到實(shí)用化的全控型元器件將在功率等級(jí)、便于驅(qū)動(dòng)和更高工作頻率這3個(gè)層面接著改進(jìn)和提升。

因?yàn)镸CT、igbt模塊、IGCT等元器件的大容量化及實(shí)用化，在更多的領(lǐng)域，igbt模塊和IGCT將取代GTO。
IGCT等新型混合元器件將逐漸得到推廣使用。

功率集成線(xiàn)路將會(huì)出現(xiàn)更進(jìn)一步的發(fā)展。這將意味著電力電子技術(shù)將跌入1個(gè)新的時(shí)期。

新型半導(dǎo)體材料SiC的問(wèn)世，將意味著在不久的將來(lái)會(huì)問(wèn)世1種集高耐壓、大電流、高開(kāi)關(guān)速度、無(wú)吸收線(xiàn)路、簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)、低損耗等所有優(yōu)點(diǎn)于一身的新型SiC電力元器件。

以上就是傳承電子對(duì)可控硅元器件未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來(lái)料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。