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逆導(dǎo)可控硅(RCT)特性解析
2021-06-24
逆導(dǎo)可控硅RCT(Reverse-ConducTIngThyrisTIr)亦稱反向?qū)煽毓琛F涮卣魇窃诳煽毓璧年枠O與陰極中間反方向并聯(lián)1只二極管,使陽極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路模式。因為這個特殊線路構(gòu)造,使之具備耐高壓、耐高溫、斷開時間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)異特性。比如,逆導(dǎo)可控硅的斷開時間僅幾微秒,工作頻率達幾十千赫,好于快速可控硅(FSCR)。該元器件適用開關(guān)電源、UPS不間斷電源中,1只RCT就可以取代可控硅和續(xù)流二極管各1只,不但使用便捷,并且能簡化線路設(shè)計。
逆導(dǎo)可控硅的典型產(chǎn)品有美國無線電公司(RCA)生產(chǎn)的S3900MF,其外型見圖1(c)。它選用TO-220封裝,3個引出端分別是門極G、陽極A、陰極K。S3900MF的基本參數(shù)如下所示:
斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM:>750V
通態(tài)平均電流IT(AV):5A
最大通態(tài)電壓VT:3V(IT=30A)
最大反向?qū)妷篤TR:<0.8V
最大門極觸發(fā)電壓VGT:4V
最大門極觸發(fā)電流IGT:40mA
斷開時間toff:2.4μs
通態(tài)電壓臨界值上升率du/dt:120V/μs
通態(tài)浪涌電流ITSM:80A
以上就是傳承電子對逆導(dǎo)可控硅(RCT)特性解析的介紹,傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商,為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工,同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標準和非標準的功率半導(dǎo)體模塊等。
逆導(dǎo)可控硅的典型產(chǎn)品有美國無線電公司(RCA)生產(chǎn)的S3900MF,其外型見圖1(c)。它選用TO-220封裝,3個引出端分別是門極G、陽極A、陰極K。S3900MF的基本參數(shù)如下所示:
斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM:>750V
通態(tài)平均電流IT(AV):5A
最大通態(tài)電壓VT:3V(IT=30A)
最大反向?qū)妷篤TR:<0.8V
最大門極觸發(fā)電壓VGT:4V
最大門極觸發(fā)電流IGT:40mA
斷開時間toff:2.4μs
通態(tài)電壓臨界值上升率du/dt:120V/μs
通態(tài)浪涌電流ITSM:80A
以上就是傳承電子對逆導(dǎo)可控硅(RCT)特性解析的介紹,傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商,為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工,同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標準和非標準的功率半導(dǎo)體模塊等。
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