如何測(cè)試igbt模塊熱阻抗

2021-06-07

如何測(cè)試熱阻抗Zth（j-r）前邊談及能夠選擇“芯片表層貼熱電偶”或“紅外熱成像儀”的方式檢測(cè)結(jié)溫，再根據(jù)NTC的溫度和igbt模塊的耗損，理論上是能夠測(cè)算出熱阻Rth（j-r）。但因?yàn)闊犭娕柬憫?yīng)時(shí)間和熱成像儀的刷新率都相應(yīng)比較慢，沒辦法檢測(cè)動(dòng)態(tài)熱阻抗Zth（j-r），因此igbt模塊廠家通常選擇Vce結(jié)溫測(cè)量方法來檢測(cè)igbt模塊的熱阻和熱阻抗曲線。

Vce結(jié)溫測(cè)量方法如圖6所顯示。

igbt模塊在小電流（10-100mA）狀況下，集-射極壓降Vce和結(jié)溫Tj成線性比例關(guān)聯(lián)，這一關(guān)聯(lián)能夠借助不同溫度下檢測(cè)Vce值的方式校正出。如此在igbt模塊熱阻檢測(cè)時(shí)就可以借助小電流下Vce的檢測(cè)值推算出實(shí)際的結(jié)溫。這樣的結(jié)溫測(cè)量方法的益處是檢測(cè)精確，此外也可以檢測(cè)動(dòng)態(tài)結(jié)溫變動(dòng)。

圖6：Vce結(jié)溫測(cè)量方法

要留意的是，考慮到芯片間的熱耦合，建議檢測(cè)時(shí)器件的發(fā)熱狀況盡可能貼近真實(shí)運(yùn)轉(zhuǎn)工作狀況，如普遍的三相半橋拓?fù)洌?單元），能夠?qū)?個(gè)igbt模塊開關(guān)串連在一塊通直流電流加熱。或是更精確的辦法是在串連的6個(gè)igbt模塊開關(guān)和6個(gè)二極管上通交流電流，電流正半周流過igbt模塊，負(fù)半周流過二極管，如此一來就可以把所有器件間的熱耦合考慮進(jìn)來。

以上就是傳承電子對(duì)如何測(cè)試igbt模塊熱阻抗的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。

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